|
|
|
||
Vývoj mikroelektroniky a fotoniky je přímo limitován technologickými možnostmi přípravy speciálních materiálů obvykle vysoce čistých a přípravou velmi složitých struktur a součástek v diskrétní či integrované formě. Zásadní roli zde hraje technologie polovodivých materiálů a struktur a tím možnost realizace a využití nových fyzikálních principů. Úkolem předmětu je seznámit posluchače se základními technologickými postupy přípravy důležitých polovodivých materiálů a struktur. Pozornost je především soustředěna na výrobu monokrystalických materiálů, zvláště pak křemíku a látek typu AIIIBV jako výchozích materiálů mikroelektronických a fotonických prvků a integrovaných struktur. Jsou vysvětleny i principy dalších postupů jako jsou epitaxní a difúzní technologie, vakuové napařování a naprašování, chemické metody depozice tenkých vrstev či litografické postupy přípravy obvodů s vysokou hustotou integrace.
Poslední úprava: Slepička Petr (13.11.2012)
|
|
||
Studenti budou umět: Prokázat své znalosti v oblasti růstu krystalů a teorie nukleace. Popsat a rozdělit základní metody růstu monokrystalů a tenkých vrstev. Metody přípravy základních polovodičových a tenkovrstvových struktur (vakuové napařování katodové naprašování, difúzní a další chemické procesy, litografie, leptací postupy apod.). Přípravu finálních polovodičových a fotonických prvků a budou mít přehled o jejich aplikacích. Postupy přípravy speciálních tenkovrstvových nanostruktur. Poslední úprava: HUTTELI (19.11.2012)
|
|
||
Z: Hüttel I., Technologie materiálů pro elektroniku a optoelektroniku, VŠCHT Praha, 2000, ISBN: 80-7080-387-8 Poslední úprava: Slepička Petr (13.11.2012)
|
|
||
Písemná zkouška Poslední úprava: Slepička Petr (09.12.2012)
|
|
||
1. Struktura polovodivých látek 2. Růst krystalů, klasifikace fázových rozhraní. 3. Krystalizace, teorie nukleace. 4. Transportní jevy na fázovém rozhraní 5. Výroba monokrystalů, Czochralského a Bridgmanova metoda. 6. Epitaxe z kapalné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 7. Epitaxe z plynné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 8. Molekulová epitaxe, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 9. Difúze příměsí, iontová implantace, zařízení, výroba PN přechodu. 10. Vakuové napařování, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 11. Vakuové naprašování, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 12. Technologie mikroelektronických struktur. 13. Technologie polovodičových zdrojů záření pro optoelektroniku. 14. Integrace elektronických a optoelektronických struktur. Poslední úprava: Slepička Petr (13.11.2012)
|
|
||
http://www.rcptm.com/cs/publikace/nejvyznamejsi-publikace/ Poslední úprava: Slepička Petr (13.11.2012)
|
|
||
Fyzika I, Matematika I Poslední úprava: Slepička Petr (13.11.2012)
|
Zátěž studenta | ||||
Činnost | Kredity | Hodiny | ||
Konzultace s vyučujícími | 1 | 28 | ||
Účast na přednáškách | 1 | 28 | ||
Příprava na přednášky, semináře, laboratoře, exkurzi nebo praxi | 0.5 | 14 | ||
Příprava na zkoušku a její absolvování | 0.5 | 14 | ||
3 / 3 | 84 / 84 |
Hodnocení studenta | |
Forma | Váha |
Protokoly z laboratorních úloh (exkurzí nebo praxí) | 10 |
Zkouškový test | 90 |