|
|
|
||
Poslední úprava: Hladíková Jana (04.01.2018)
|
|
||
Poslední úprava: Hladíková Jana (04.01.2018)
Studenti budou umět: Prokázat své znalosti v oblasti růstu krystalů a teorie nukleace. Popsat a rozdělit základní metody růstu monokrystalů a tenkých vrstev. Metody přípravy základních polovodičových a tenkovrstvových struktur (vakuové napařování katodové naprašování, difúzní a další chemické procesy, litografie, leptací postupy apod.). Přípravu finálních polovodičových a fotonických prvků a budou mít přehled o jejich aplikacích. Postupy přípravy speciálních tenkovrstvových nanostruktur. |
|
||
Poslední úprava: Hladíková Jana (04.01.2018)
Z: Hüttel I., Technologie materiálů pro elektroniku a optoelektroniku, VŠCHT Praha, 2000, ISBN: 80-7080-387-8 |
|
||
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (20.02.2018)
Prezentace k dispozici u vyučujícího. |
|
||
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (20.02.2018)
Probraná látka je pravidelně opakována a diskutována se studenty na přednáškách. Tímto způsobem je zajištěna průběžně kontrola úrovně znalostí studentů a srozumitelnosti přednášené látky. Pro posouzení úrovně znalostí a udělení známky se vyžaduje úspěšné absolvování písemného testu na závěr semestru. |
|
||
Poslední úprava: Hladíková Jana (04.01.2018)
1. Struktura polovodivých látek 2. Růst krystalů, klasifikace fázových rozhraní. 3. Krystalizace, teorie nukleace. 4. Transportní jevy na fázovém rozhraní 5. Výroba monokrystalů, Czochralského a Bridgmanova metoda. 6. Epitaxe z kapalné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 7. Epitaxe z plynné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 8. Molekulová epitaxe, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 9. Difúze příměsí, iontová implantace, zařízení, výroba PN přechodu. 10. Vakuové napařování, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 11. Vakuové naprašování, princip, zařízení, vlastnosti struktur. 12. Technologie mikroelektronických struktur. 13. Technologie polovodičových zdrojů záření pro optoelektroniku. 14. Integrace elektronických a optoelektronických struktur. |
|
||
Poslední úprava: Hladíková Jana (04.01.2018)
Fyzika I, Matematika I |
|
||
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (20.02.2018)
Písemná zkouška (100%). |
Zátěž studenta | ||||
Činnost | Kredity | Hodiny | ||
Konzultace s vyučujícími | 1 | 28 | ||
Účast na přednáškách | 1 | 28 | ||
Příprava na přednášky, semináře, laboratoře, exkurzi nebo praxi | 0.5 | 14 | ||
Příprava na zkoušku a její absolvování | 0.5 | 14 | ||
3 / 3 | 84 / 84 |