Technologie materiálů pro elektroniku - N126011
Anglický název: Technology of Materials for Electronics
Zajišťuje: Ústav inženýrství pevných látek (126)
Fakulta: Fakulta chemické technologie
Platnost: od 2019
Semestr: letní
Body: letní s.:3
E-Kredity: letní s.:3
Způsob provedení zkoušky: letní s.:
Rozsah, examinace: letní s.:2/0, Zk [HT]
Rozsah za akademický rok: 2 [hodiny]
Počet míst: neurčen / neurčen (neurčen)
Minimální obsazenost: neomezen
Jazyk výuky: čeština
Způsob výuky: prezenční
Způsob výuky: prezenční
Úroveň:  
Pro druh:  
Garant: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D.
Je záměnnost pro: M126004
Termíny zkoušek   Rozvrh   
Anotace -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)
Vývoj mikroelektroniky a fotoniky je přímo limitován technologickými možnostmi přípravy speciálních materiálů obvykle vysoce čistých a přípravou velmi složitých struktur a součástek v diskrétní či integrované formě. Zásadní roli zde hraje technologie polovodivých materiálů a struktur a tím možnost realizace a využití nových fyzikálních principů. Úkolem předmětu je seznámit posluchače se základními technologickými postupy přípravy důležitých polovodivých materiálů a struktur. Pozornost je především soustředěna na výrobu monokrystalických materiálů, zvláště pak křemíku a látek typu AIIIBV jako výchozích materiálů mikroelektronických a fotonických prvků a integrovaných struktur. Jsou vysvětleny i principy dalších postupů jako jsou epitaxní a difúzní technologie, vakuové napařování a naprašování, chemické metody depozice tenkých vrstev či litografické postupy přípravy obvodů s vysokou hustotou integrace.
Výstupy studia předmětu -
Poslední úprava: HUTTELI (19.11.2012)

Studenti budou umět:

Prokázat své znalosti v oblasti růstu krystalů a teorie nukleace.

Popsat a rozdělit základní metody růstu monokrystalů a tenkých vrstev.

Metody přípravy základních polovodičových a tenkovrstvových struktur (vakuové napařování katodové naprašování, difúzní a další chemické procesy, litografie, leptací postupy apod.).

Přípravu finálních polovodičových a fotonických prvků a budou mít přehled o jejich aplikacích.

Postupy přípravy speciálních tenkovrstvových nanostruktur.

Literatura -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

Z: Hüttel I., Technologie materiálů pro elektroniku a optoelektroniku, VŠCHT Praha, 2000, ISBN: 80-7080-387-8

Studijní opory -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

http://www.rcptm.com/cs/publikace/nejvyznamejsi-publikace/

Požadavky ke zkoušce (Forma způsobu ověření studijních výsledků) -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (09.12.2012)

Písemná zkouška

Sylabus -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

1. Struktura polovodivých látek

2. Růst krystalů, klasifikace fázových rozhraní.

3. Krystalizace, teorie nukleace.

4. Transportní jevy na fázovém rozhraní

5. Výroba monokrystalů, Czochralského a Bridgmanova metoda.

6. Epitaxe z kapalné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

7. Epitaxe z plynné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

8. Molekulová epitaxe, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

9. Difúze příměsí, iontová implantace, zařízení, výroba PN přechodu.

10. Vakuové napařování, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

11. Vakuové naprašování, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

12. Technologie mikroelektronických struktur.

13. Technologie polovodičových zdrojů záření pro optoelektroniku.

14. Integrace elektronických a optoelektronických struktur.

Studijní prerekvizity -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

Fyzika I, Matematika I

Zátěž studenta
Činnost Kredity Hodiny
Konzultace s vyučujícími 1 28
Účast na přednáškách 1 28
Příprava na přednášky, semináře, laboratoře, exkurzi nebo praxi 0.5 14
Příprava na zkoušku a její absolvování 0.5 14
3 / 3 84 / 84
Hodnocení studenta
Forma Váha
Protokoly z laboratorních úloh (exkurzí nebo praxí) 10
Zkouškový test 90