|
|
|
||
Předmět je určen pro studenty, kteří chtějí získat znalosti v oblasti aplikace nanomateriálů a nanostruktur v elektronice a optoelektronice. Po nezbytném úvodu týkajícím se vlastností základních elektronických a optoelektronických prvků budou studenti seznámeni s přehledem základních technologických operací využívaných v mikroelektronice a s aplikací tranzistorů v moderní mikroelektronice. Další náplň předmětu bude zaměřena na problematiku redukce rozměrů struktur, speciální tranzistory a na tzv postkřemíkovou elektroniku. Závěrem budou studenti seznámeni s přehledem paměťových médií a se základy spintroniky.
Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
Studenti budou znát: Vlastnosti základních elektronických struktur (PN přechod, bipolární tranzistor, MOS FET tranzistor) optoelektronických struktur (fotodioda, laser, optické vlákno). Přehled základních materiálů využívaných v mikroelektronice a technologie přípravy nanostruktur. Problematiku zmenšování struktur mikroelektroniky, struktury moderních tranzistorů a materiálové základy postkřemíkové mikroelektroniky. Principy a konstrukci moderních paměťových médií, základní principy spintroniky.
Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
Absolvování zkoušky Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
Z: R. Waser: Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices. WILEY-VCH Verlag 2005,ISBN 3-527-40363-9 Z: P. Macháč, V. Myslík: Struktury a technologie mikroelektroniky I. Skriptum VŠCHT, Praha 1989. Z: P. Macháč, V. Myslík: Struktury a technologie mikroelektroniky II. Skriptum VŠCHT, Praha 1989, ISBN 80-7080-021-6. Z: J. Voves: Kvantové elektronické struktury. Skriptum ČVUT, Praha 1995, ISBN 80-01-01350-2 Z: P. Agrawal: Lightwave Technology, JohnWiley&Sons Ltd., New Jersey, 2005, ISBN 978-0-471-21573-8 Z: S. Luryi, J.M. Yu, A. Zaslavsky: Future trends in microelectronics, John Wiley and Sons, Inc. 2007, ISBN 978-0-470-08146-4 D: S.M. Sze, K.Ng.Kwok: Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New York 2006, ISBN 978-0-470-6830-4 Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
Účast na přednáškách Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
1. Základy fyziky polovodičů. 2. Vývoj elektroniky a integrovaných obvodů, hustota integrace, Moorův zákon 3. Princip PN a Schottkyho přechodu. 4. Povrchové vlastnosti polovodičů, MIS struktura, MOSFET tranzistor. 5. Tranzistorový jev, bipolární tranzistor. 6. Polovodičové součástky pro velmi vysoké kmitočty. 7. Základní optoelektronické prvky. 8. Optoelektronické struktury. 9. Technologie přípravy polovodičových struktur. 10. Nekřemíkové elektronické prvky a struktury. 11. Aplikace tranzistorů v mikroelektronice 12. Problematika zmenšování rozměrů elektronických prvků. 13. Přehled paměťových struktur. 14. Spintronika, princip a využití.
Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
http://www.learned.cz/userfiles/pdf/prednasky-cleny-odborne/tomas.jungwirth_1209.pdf http://www.roznovskastredni.cz/dwnl/pel2005/05/musil.pdf https://www.journals.elsevier.com/microelectronic-engineering/special-issues https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-48933-9_35 Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
|
||
N126012 Úvod do elektroniky N126026 Základy nanomateriálů N108006 Chemie a fyzika pevných látek nebo N108004 Úvod do studia materiálů N126027 Fyzikální chemie nanomateriálů
Poslední úprava: Řezníčková Alena (21.10.2021)
|
Zátěž studenta | ||||
Činnost | Kredity | Hodiny | ||
Konzultace s vyučujícími | 0.5 | 14 | ||
Účast na přednáškách | 1.5 | 42 | ||
Příprava na přednášky, semináře, laboratoře, exkurzi nebo praxi | 1 | 28 | ||
Příprava na zkoušku a její absolvování | 1.5 | 42 | ||
5 / 5 | 126 / 140 |