Studenti budou umět:

Prokázat své znalosti v oblasti růstu krystalů a teorie nukleace.

Popsat a rozdělit základní metody růstu monokrystalů a tenkých vrstev.

Metody přípravy základních polovodičových a tenkovrstvových struktur (vakuové napařování katodové naprašování, difúzní a další chemické procesy, litografie, leptací postupy apod.).

Přípravu finálních polovodičových a fotonických prvků a budou mít přehled o jejich aplikacích.

Postupy přípravy speciálních tenkovrstvových nanostruktur.

Students will be able to:

Demonstrate their knowledge in the field of crystal growth and nucleation theory.

Describe and divide primary methods of growth of single crystals and thin films.

Know the methods of preparation of basic semiconductor and thin film structures (cathodic sputtering, vacuum deposition, diffusion, and other chemical processes, lithography, etching procedures, etc.).

Know the preparation of the final semiconductor and photonic devices and will have an overview of their applications.

Know the procedures for the preparation of special thin film nanostructures.

Písemná zkouška (100%).

Written exam (100%).

Z: Hüttel I., Technologie materiálů pro elektroniku a optoelektroniku, VŠCHT Praha, 2000, ISBN: 80-7080-387-8

R: Hüttel I. Technology of materials for electronics and optoelectronics, Institute of Chemical Technology Prague, 2000, ISBN: 80-7080-387-8

Probraná látka je pravidelně opakována a diskutována se studenty na přednáškách. Tímto způsobem je zajištěna průběžně kontrola úrovně znalostí studentů a srozumitelnosti přednášené látky. Pro posouzení úrovně znalostí a udělení známky se vyžaduje úspěšné absolvování písemného testu na závěr semestru.

Subject matter is regularly repeated and discussed with students at lectures. This ensures the continuous control level of students' knowledge and clarity of lectures. The assessment of knowledge level and grading requires successful completion of a written test at the end of the semester.

1. Struktura polovodivých látek

2. Růst krystalů, klasifikace fázových rozhraní.

3. Krystalizace, teorie nukleace.

4. Transportní jevy na fázovém rozhraní

5. Výroba monokrystalů, Czochralského a Bridgmanova metoda.

6. Epitaxe z kapalné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

7. Epitaxe z plynné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

8. Molekulová epitaxe, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

9. Difúze příměsí, iontová implantace, zařízení, výroba PN přechodu.

10. Vakuové napařování, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

11. Vakuové naprašování, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

12. Technologie mikroelektronických struktur.

13. Technologie polovodičových zdrojů záření pro optoelektroniku.

14. Integrace elektronických a optoelektronických struktur.

1. The structure of semiconducting materials.

2. Crystal growth, classification of phase interfaces.

3. Crystallization, nucleation theory.

4. Transport phenomena at the interface

5. Production of single crystal by Czochralski and Bridgman method.

6. Epitaxy from the liquid phase, principle, device, characteristics of structures.

7. Epitaxy from the gaseous phase, principle, device, characteristics of structures.

8. Molecular beam epitaxy, principle, device, characteristics of structures.

9. Diffusion of impurities, ion implantation, device, production of PN junction.

10. Vacuum evaporation, principle, device, characteristics of structures.

11. Vacuum sputtering, principle, device, characteristics of structures.

12. The technology of microelectronic structures.

13. The technology of semiconductor sources of radiation for optoelectronics.

14. Integration of electronic and optoelectronic structures.

Prezentace k dispozici u vyučujícího.

Presentations available at teacher's office.

Fyzika I, Matematika I

Physics I, Mathematics I