Absolvování zkoušky

Z: R. Waser: Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices. WILEY-VCH Verlag 2005,ISBN 3-527-40363-9

Z: P. Macháč, V. Myslík: Struktury a technologie mikroelektroniky I. Skriptum VŠCHT, Praha 1989.

Z: P. Macháč, V. Myslík: Struktury a technologie mikroelektroniky II. Skriptum VŠCHT, Praha 1989, ISBN 80-7080-021-6.

Z: J. Voves: Kvantové elektronické struktury. Skriptum ČVUT, Praha 1995, ISBN 80-01-01350-2

Z: P. Agrawal: Lightwave Technology, JohnWiley&Sons Ltd., New Jersey, 2005, ISBN 978-0-471-21573-8

Z: S. Luryi, J.M. Yu, A. Zaslavsky: Future trends in microelectronics, John Wiley and Sons, Inc. 2007, ISBN 978-0-470-08146-4

D: S.M. Sze, K.Ng.Kwok: Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New York 2006, ISBN 978-0-470-6830-4

Z: R. Waser: Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices. WILEY-VCH Verlag 2005,ISBN 3-527-40363-9

Z: P. Macháč, V. Myslík: Struktury a technologie mikroelektroniky I. Skriptum VŠCHT, Praha 1989.

Z: P. Macháč, V. Myslík: Struktury a technologie mikroelektroniky II. Skriptum VŠCHT, Praha 1989, ISBN 80-7080-021-6

Z: J. Voves: Kvantové elektronické struktury. Skriptum ČVUT, Praha 1995, ISBN 80-01-01350-2

Z: P. Agrawal: Lightwave Technology, JohnWiley&Sons Ltd., New Jersey, 2005, ISBN 978-0-471-21573-8

Z: S. Luryi, J.M. Yu, A. Zaslavsky: Future trends in microelectronics, John Wiley and Sons, Inc. 2007, ISBN 978-0-470-08146-4

D: S.M. Sze, K.Ng.Kwok: Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New York 2006, ISBN 978-0-470-6830-4

Účast na přednáškách

1. Základy fyziky polovodičů.

2. Vývoj elektroniky a integrovaných obvodů, hustota integrace, Moorův zákon

3. Princip PN a Schottkyho přechodu.

4. Povrchové vlastnosti polovodičů, MIS struktura, MOSFET tranzistor.

5. Tranzistorový jev, bipolární tranzistor.

6. Polovodičové součástky pro velmi vysoké kmitočty.

7. Základní optoelektronické prvky.

8. Optoelektronické struktury.

9. Technologie přípravy polovodičových struktur.

10. Nekřemíkové elektronické prvky a struktury.

11. Aplikace tranzistorů v mikroelektronice

12. Problematika zmenšování rozměrů elektronických prvků.

13. Přehled paměťových struktur.

14. Spintronika, princip a využití.

1.Fundaments of semiconductor physics.

2. History of electronics and integrated circuits, density of integration, Moor‘s law.

3. Principle of PN and Schottky junctions.

4. Semiconductor surface, MIS structure, MOSFET transistor.

5. Transistor phenomenon, bipolar transistor.

6. Semiconductor elements for high frequency.

7. Basic optoelectronic elements.

8. Optoelctronic structures.

9. Technology of smiconductor structure preparation

10. Nonsilicon electronic devices and structures.

11. Application of transistors in microelectronics.

12. Problems of dimension reduction of electronic elements.

13. Memory structures.

14. Principle of spintronics, application.

http://www.learned.cz/userfiles/pdf/prednasky-cleny-odborne/tomas.jungwirth_1209.pdf

http://www.roznovskastredni.cz/dwnl/pel2005/05/musil.pdf

https://www.journals.elsevier.com/microelectronic-engineering/special-issues

https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-48933-9_35

http://www.learned.cz/userfiles/pdf/prednasky-cleny-odborne/tomas.jungwirth_1209.pdf

http://www.roznovskastredni.cz/dwnl/pel2005/05/musil.pdf

https://www.journals.elsevier.com/microelectronic-engineering/special-issues

https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-48933-9_35

Studenti budou znát:

Vlastnosti základních elektronických struktur (PN přechod, bipolární tranzistor, MOS FET tranzistor) optoelektronických struktur (fotodioda, laser, optické vlákno).

Přehled základních materiálů využívaných v mikroelektronice a technologie přípravy nanostruktur.

Problematiku zmenšování struktur mikroelektroniky, struktury moderních tranzistorů a materiálové základy postkřemíkové mikroelektroniky.

Principy a konstrukci moderních paměťových médií, základní principy spintroniky.

Students will be able to know:

Properties of basic electronic elements and structures (PN junction, unipolar and bipolar transistors), optoelectronic structures (photodiode, laser, optical fiber).

Outline of materials applied in microelectronics together with technological processes for the preparation of nanostructures.

Problems of dimension reduction in microelectronics, the structures of advanced transistors and material fundamentals of post-silicon electronics.

Principles of memory structures, fundamental principles of spintronics.

N126012 Úvod do elektroniky

N126026 Základy nanomateriálů

N108006 Chemie a fyzika pevných látek nebo N108004 Úvod do studia materiálů

N126027 Fyzikální chemie nanomateriálů

N126026 Introduction to nanomaterials

N126012 Introduction to Electronics

N108006 Chemistry and physics of solids

N126027 Physical chemistry of nanomaterials