PředmětyPředměty(verze: 825)
Předmět, akademický rok 2017/2018
  
Technologie materiálů pro elektroniku - N126011
Anglický název: Technology of Materials for Electronics
Zajišťuje: Ústav inženýrství pevných látek (126)
Platnost: od 2014
Semestr: letní
Body: letní s.:3
E-Kredity: letní s.:3
Způsob provedení zkoušky: letní s.:
Rozsah, examinace: letní s.:2/0 Zk [hodiny/týden]
Rozsah za akademický rok: 2 [hodiny]
Počet míst: 18 / neurčen (neurčen)
Minimální obsazenost: neomezen
Jazyk výuky: čeština
Způsob výuky: prezenční
Úroveň:  
Pro druh:  
Garant: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D.
Anotace -
Poslední úprava: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

Vývoj mikroelektroniky a fotoniky je přímo limitován technologickými možnostmi přípravy speciálních materiálů obvykle vysoce čistých a přípravou velmi složitých struktur a součástek v diskrétní či integrované formě. Zásadní roli zde hraje technologie polovodivých materiálů a struktur a tím možnost realizace a využití nových fyzikálních principů. Úkolem předmětu je seznámit posluchače se základními technologickými postupy přípravy důležitých polovodivých materiálů a struktur. Pozornost je především soustředěna na výrobu monokrystalických materiálů, zvláště pak křemíku a látek typu AIIIBV jako výchozích materiálů mikroelektronických a fotonických prvků a integrovaných struktur. Jsou vysvětleny i principy dalších postupů jako jsou epitaxní a difúzní technologie, vakuové napařování a naprašování, chemické metody depozice tenkých vrstev či litografické postupy přípravy obvodů s vysokou hustotou integrace.
Výstupy studia předmětu -
Poslední úprava: Hüttel Ivan doc. Ing. DrSc. (19.11.2012)

Studenti budou umět:

Prokázat své znalosti v oblasti růstu krystalů a teorie nukleace.

Popsat a rozdělit základní metody růstu monokrystalů a tenkých vrstev.

Metody přípravy základních polovodičových a tenkovrstvových struktur (vakuové napařování katodové naprašování, difúzní a další chemické procesy, litografie, leptací postupy apod.).

Přípravu finálních polovodičových a fotonických prvků a budou mít přehled o jejich aplikacích.

Postupy přípravy speciálních tenkovrstvových nanostruktur.

Literatura -
Poslední úprava: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

Z: Hüttel I., Technologie materiálů pro elektroniku a optoelektroniku, VŠCHT Praha, 2000, ISBN: 80-7080-387-8

Studijní opory -
Poslední úprava: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

http://www.rcptm.com/cs/publikace/nejvyznamejsi-publikace/

Požadavky ke kontrole studia -
Poslední úprava: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D. (09.12.2012)

Písemná zkouška

Sylabus -
Poslední úprava: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

1. Struktura polovodivých látek

2. Růst krystalů, klasifikace fázových rozhraní.

3. Krystalizace, teorie nukleace.

4. Transportní jevy na fázovém rozhraní

5. Výroba monokrystalů, Czochralského a Bridgmanova metoda.

6. Epitaxe z kapalné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

7. Epitaxe z plynné fáze, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

8. Molekulová epitaxe, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

9. Difúze příměsí, iontová implantace, zařízení, výroba PN přechodu.

10. Vakuové napařování, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

11. Vakuové naprašování, princip, zařízení, vlastnosti struktur.

12. Technologie mikroelektronických struktur.

13. Technologie polovodičových zdrojů záření pro optoelektroniku.

14. Integrace elektronických a optoelektronických struktur.

Studijní prerekvizity -
Poslední úprava: Slepička Petr doc. Ing. Ph.D. (13.11.2012)

Fyzika I, Matematika I

Zátěž studenta
Činnost Kredity Hodiny
Konzultace s vyučujícími 1 28
Účast na přednáškách 1 28
Příprava na přednášky, semináře, laboratoře, exkurzi nebo praxi 0,5 14
Příprava na zkoušku a její absolvování 0,5 14
3 / 3 84 / 84
Hodnocení studenta
Forma Váha
Protokoly z laboratorních úloh (exkurzí nebo praxí) 10
Zkouškový test 90

 
VŠCHT Praha