Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)
Vývoj mikroelektroniky a fotoniky je přímo limitován technologickými možnostmi přípravy speciálních materiálů obvykle vysoce čistých a přípravou velmi složitých struktur a součástek v diskrétní či integrované formě. Zásadní roli zde hraje technologie polovodivých materiálů a struktur a tím možnost realizace a využití nových fyzikálních principů. Úkolem předmětu je seznámit posluchače se základními technologickými postupy přípravy důležitých polovodivých materiálů a struktur. Pozornost je především soustředěna na výrobu monokrystalických materiálů, zvláště pak křemíku a látek typu AIIIBV jako výchozích materiálů mikroelektronických a fotonických prvků a integrovaných struktur. Jsou vysvětleny i principy dalších postupů jako jsou epitaxní a difúzní technologie, vakuové napařování a naprašování, chemické metody depozice tenkých vrstev či litografické postupy přípravy obvodů s vysokou hustotou integrace.
Poslední úprava: TAJ126 (28.11.2013)
The development of microelectronics and photonics is directly limited by the technological capabilities of the preparation of special materials, usually of high purity and preparation of highly complex structures and components in discrete or integrated form. Semiconducting materials technology and structures and the possibility of the implementation and use of new physical principles play a vital role. The aim of the subject is to familiarize students with the basic technological procedures for the preparation of important semiconductor materials and structures. Attention is focused on the production of single crystal materials, especially silicon, and substances such AIIIBV as input materials of microelectronic and photonic devices and integrated structures. The principles of other processes such as epitaxial and diffusion of technology, vacuum evaporation and sputtering, chemical methods of thin film deposition and lithographic processes for preparation of circuits with high density of integration are also explained.
Výstupy studia předmětu -
Poslední úprava: Hüttel Ivan doc. Ing. DrSc. (19.11.2012)
Studenti budou umět:
Prokázat své znalosti v oblasti růstu krystalů a teorie nukleace.
Popsat a rozdělit základní metody růstu monokrystalů a tenkých vrstev.
Metody přípravy základních polovodičových a tenkovrstvových struktur (vakuové napařování katodové naprašování, difúzní a další chemické procesy, litografie, leptací postupy apod.).
Přípravu finálních polovodičových a fotonických prvků a budou mít přehled o jejich aplikacích.
Demonstrate their knowledge in the field of crystal growth and nucleation theory.
Describe and divide primary methods of growth of single crystals and thin films.
Know the methods of preparation of basic semiconductor and thin film structures (cathodic sputtering, vacuum deposition, diffusion, and other chemical processes, lithography, etching procedures, etc.).
Know the preparation of the final semiconductor and photonic devices and will have an overview of their applications.
Know the procedures for the preparation of special thin film nanostructures.
Literatura -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)
Z: Hüttel I., Technologie materiálů pro elektroniku a optoelektroniku, VŠCHT Praha, 2000, ISBN: 80-7080-387-8
Poslední úprava: TAJ126 (23.09.2013)
R: Hüttel I. Technology of materials for electronics and optoelectronics, Institute of Chemical Technology Prague, 2000, ISBN: 80-7080-387-8
Studijní opory -
Poslední úprava: Slepička Petr prof. Ing. Ph.D. (13.11.2012)
